Создана формула будущего заменителя графена
Американские исследователи разработали новый материал с двумерной структурой и уникальными свойствами, который способен полностью заменить популярный сегодня графен.
Международная группа ученых из Кентукского университета, немецкого Университета Даймлера и Института лазерных структур, который находится в Греции, разработали материал, который имеет кристаллическую решетку с одноатомной толщиной. Новый материал создан на основе бора, азота и кремния и имеет огромное преимущество перед графеном. Заключается это преимущество главным образом в наличии проводниковых и полупроводниковых свойств. Такие уникальные свойства позволят этому материалу опередить графен в гонке за признание в качестве лучшего материала, который будет использоваться в разработке цифровых наносредств.
Материал под названием Si2BN на данный момент находится только в процессе теоретической разработки и представлен исключительно в виде формул, что, в свою очередь означает, что ни один ученый в мире пока что не смог практически воспроизвести этот материал. По словам руководителя проекта профессора Медху Менона, это не помешает ему стать альтернативным материалом, который в дальнейшем полностью заменит графен, который ранее и сам заменил кремний в электронных устройствах.
Исследователи уже давно пытались создать аналоги графена, но каждый из материалов имел свои недостатки. Некоторые не были полностью плоскими, другие же могли просуществовать в природе всего несколько часов. Si2BN в своей основе имеет металл, запретная зона которого может изменяться при помощи добавления различного рода добавок, что, в свою очередь, дает возможность этому материалу переходить из полупроводника в проводник и обратно. Графен также имеет это свойство, но чтобы достичь этого эффекта требуется длительное воздействие на него магнитного поля. Наличие же в электронных устройствах сильного магнитного поля вредит остальным компонентам прибора.
Кремниевая составляющая нового материала и его общая с графеном структура дает возможность производства Si2BN на тех же предприятиях, что и по производству графена, причем без особых изменений технологии и подорожания самого процесса. Сейчас главной задачей исследователей является создание на практике материала, который по всем параметрам соответствовал бы математической модели.
Материал под названием Si2BN на данный момент находится только в процессе теоретической разработки и представлен исключительно в виде формул, что, в свою очередь означает, что ни один ученый в мире пока что не смог практически воспроизвести этот материал. По словам руководителя проекта профессора Медху Менона, это не помешает ему стать альтернативным материалом, который в дальнейшем полностью заменит графен, который ранее и сам заменил кремний в электронных устройствах.
Исследователи уже давно пытались создать аналоги графена, но каждый из материалов имел свои недостатки. Некоторые не были полностью плоскими, другие же могли просуществовать в природе всего несколько часов. Si2BN в своей основе имеет металл, запретная зона которого может изменяться при помощи добавления различного рода добавок, что, в свою очередь, дает возможность этому материалу переходить из полупроводника в проводник и обратно. Графен также имеет это свойство, но чтобы достичь этого эффекта требуется длительное воздействие на него магнитного поля. Наличие же в электронных устройствах сильного магнитного поля вредит остальным компонентам прибора.
Кремниевая составляющая нового материала и его общая с графеном структура дает возможность производства Si2BN на тех же предприятиях, что и по производству графена, причем без особых изменений технологии и подорожания самого процесса. Сейчас главной задачей исследователей является создание на практике материала, который по всем параметрам соответствовал бы математической модели.