Транзисторы станут еще тоньше
Ученые из Силиконовой долины приступили к разработке новейшего вида ультратонких транзисторов, толщина которых не будет превышать толщины нескольких атомов.
По правилам закона Мура количество полупроводниковых приборов на квадратный дюйм микросхемы увеличивается вдвое каждый год. Сам закон достоверно действует на протяжении последних пятидесяти лет. Электронные гаджеты с каждым годом становятся все меньше и меньше. Не исключено, что мы застанем телефоны, толщина которых не будет превышать лист бумаги.
Единственной проблемой современности стал конфликт положений закона о безграничном прогрессе развития интегральных микросхем и реальным процессом развития физики. Современные ученые рассматривают несколько вариантов решения данной проблемы. Одни предлагают использовать в качестве материала графен. Графен - это искусственно созданный из углерода материал, который имеет толщину одного атома. Но для его применения надо решить проблему отсутствия в нем запрещенной зоны, которая должна быть присуща любому полупроводниковому прибору. Вторым материалом для производства были выбраны дихалькогениды переходных металлов (TMD). Этот электроматериал не толще трех атомов. Впервые технология производства TMD-транзисторов была изложена учеными в статье журнала Nature.
Американские ученые, использовав при изготовлении транзисторов технологии осаждения соединений из газообразной фазы (MOCVD), произвели две сотни приборов. Из всей партии 198 транзисторов выполнили свою функцию по пропусканию электричества. Эти данные означают, что коэффициент успешности составил 99 процентов.
По словам ученых, это была самая успешная попытка в производстве полупроводников с использованием TMD-материалов. До этого при попытках создания столь тонких приборов получались транзисторы с ограниченными электрическими параметрами. Работа ученых стала первой ступенькой к производству интегральных микросхем с толщиной в пару атомов.
Сама технология состояла в наращивании TMD-транзисторов на подложке из кремния. Вся процедура длилась 26 часов при температуре 550 градусов по шкале Цельсия. Вероятнее всего, это может повредить массовому производству, хотя и является прорывом в области полупроводниковых приборов.
Единственной проблемой современности стал конфликт положений закона о безграничном прогрессе развития интегральных микросхем и реальным процессом развития физики. Современные ученые рассматривают несколько вариантов решения данной проблемы. Одни предлагают использовать в качестве материала графен. Графен - это искусственно созданный из углерода материал, который имеет толщину одного атома. Но для его применения надо решить проблему отсутствия в нем запрещенной зоны, которая должна быть присуща любому полупроводниковому прибору. Вторым материалом для производства были выбраны дихалькогениды переходных металлов (TMD). Этот электроматериал не толще трех атомов. Впервые технология производства TMD-транзисторов была изложена учеными в статье журнала Nature.
Американские ученые, использовав при изготовлении транзисторов технологии осаждения соединений из газообразной фазы (MOCVD), произвели две сотни приборов. Из всей партии 198 транзисторов выполнили свою функцию по пропусканию электричества. Эти данные означают, что коэффициент успешности составил 99 процентов.
По словам ученых, это была самая успешная попытка в производстве полупроводников с использованием TMD-материалов. До этого при попытках создания столь тонких приборов получались транзисторы с ограниченными электрическими параметрами. Работа ученых стала первой ступенькой к производству интегральных микросхем с толщиной в пару атомов.
Сама технология состояла в наращивании TMD-транзисторов на подложке из кремния. Вся процедура длилась 26 часов при температуре 550 градусов по шкале Цельсия. Вероятнее всего, это может повредить массовому производству, хотя и является прорывом в области полупроводниковых приборов.