18+
  1. Разработан сверхбыстрый полупроводник на гибкой основе

Разработан сверхбыстрый полупроводник на гибкой основе

Разработан сверхбыстрый полупроводник на гибкой основе
Американские ученые смогли создать транзистор на тонкопленочной основе, который сейчас является самым быстрым полупроводником в мире и выполняет наибольшее количество операций за единицу времени.

Группа ученых из Университета Висконсина-Мадисона разработала уникальную технологию, которая позволяет производить тонкопленочные транзисторы с минимальной затратой сил и средств, что позволит запустить их полномасштабное производство рулонным способом. При проведении лабораторных испытаний ученые смогли добиться стабильной работы транзистора на частоте в тридцать восемь Гигагерц, что является рекордом для полупроводников такого типа. Компьютерное моделирование дальнейшей работы полупроводника показало, что предельной частотой, при которой транзистор может функционировать без сбоев, будет 110 Гигагерц. А это значит, что процессоры, созданные с использованием таких транзисторов, будут иметь обработку данных, которая в сотни раз выше всех существующих сегодня.

Новый метод производства полупроводников кардинально отличается от метода литографии, который сейчас широко используется для производства тонкопленочных транзисторов. Существующий способ требует использования определенного количества химикатов, которые наносятся под воздействием света. Дифракция света в этом случае дает неточности при нанесении элементов на пленку, что в свою очередь приводит к замыканиям, которые устраняются при помощи нанесения дополнительных слоев. Все это делает процесс очень затратным и трудоемким.

В новом же методе ученые использовали технологию нанопечати, которая обычно заключается в нанесении на кремниевую основу точек из материалов, способных изменять электрические параметры основного слоя. Но и этот метод исследователи смогли модифицировать. Они полностью покрыли кремниевую пластину добавочными материалами, а после этого нанесли на нее фоторезистивный слой. На светочувствительном слое при помощи лазера была нарисована структура будущего транзистора, а с помощью обычного травления были удалены не засвеченные участки. Использование такого метода позволило добиться высокой точности производства всего лишь за два этапа и упаковать на одну и ту же единицу площади в 10 раз больше элементов, чем при методе литографии.

По словам ученых, их разработка была специально создана для использования в области производства гибкой электроники, которая набирает все большую популярность в современном мире.

Последние новости