Проект ведется ведущим ВУЗом Китая – университетом Цинхуа. Ученые уже выбирают место для строительства ускорителя в районе города Сюнъань в провинции Хэбэй. Фабрика будет построена по принципиально отличающейся от иностранных аналогов схеме: в качестве источника излучения будет использоваться ускоритель заряженных частиц. Длина его контура составит около 100-150 метров.
Такая фабрика сможет производить большие объемы чипов с низкой себестоимостью. Проект разрабатывается с 2017 года. Одним из его применений может стать фотолитография в глубоком ультрафиолете (extreme ultraviolet lithography, EUV), эта технология используется во всем мире для создания передовых чипов. Единственным производителем таких литографических машин является нидерландская компания ASML, однако доступ Китая к этой технологии ограничен.
Технология построена на методе так называемого устойчивого микрогруппирования (steady-state microbunching, SSMB), которая была впервые представлена профессором Чжао У и его учеником Дэниэлом Рэтнером в 2010 году. Она предусматривает использование энергии заряженных частиц в качестве источника излучения с узким рассеянием. Длина волны такого излучения может составлять от 13,5 нм до 0,3 мм.
«Предстоит еще многое сделать, прежде чем мы получим свои собственные, независимые литографические машины EUV, однако источники глубокого ультрафиолетового излучения на основе технологии SSMB дадут нам альтернативу находящейся под санкциями технологии», – говорится в докладе профессора Тан Чуаньсяна, главы проектной группы в университете Цинхуа.
