На презентации Tesla 2023 Investor Day в среду, которая в основном была посвящена эффективности и контролю над расходами, руководитель отдела разработки силовых агрегатов Колин Кэмпбелл продемонстрировал, как компания планирует снизить стоимость силовых агрегатов своих автомобилей, сохранив при этом высокую производительность и энергоэффективность. Кэмпбелл заявил: «В нашем следующем силовом агрегате транзисторы из карбида кремния, о которых я упоминал, являются ключевыми компонентами, но дорогими, мы нашли способ использовать на 75% меньше без ущерба для производительности и эффективности автомобиля».
Акции ON Semiconductor и ST Microelectronics потеряли около 2%, а Wolfspeed упали примерно на 7%, поскольку инвесторы опасались, что действия Tesla станут сигналом для автомобильной промышленности.
Кэмпбелл также заявил, что в новых силовых агрегатах Tesla будут использоваться двигатели, созданные без использования редкоземельных металлов. Поставщик сырья, компания MP Materials, известная тем, что поставляет автопроизводителям неодим, потеряла на этой новости 11% своей капитализации.
Кэмпбелл не сказал, когда силовой агрегат следующего поколения будет готов к крупносерийному производству и использованию в автомобилях компании, и не уточнил, сколько компания в настоящее время тратит на эти транзисторы. На мероприятии руководство не раскрыло никаких подробностей о «следующем поколении» Tesla, которое некоторые аналитики называют Model 2.
Аналитики Bank of America назвали заявления Tesla важными, но «преждевременными». По их мнению, если это правда, данный технологический прогресс может стать серьезным риском для индустрии материалов из карбида кремния. Однако, по их мнению, потери поставщиков транзисторов могут быть частично компенсированы ростом объемов продаж электромобилей.
Микросхемы, изготовленные на транзисторах из карбида кремния, широко используются в электромобилях. Как правило, они выдерживают более высокие температуры, имеют более длительный срок службы и более энергоэффективны, чем полупроводники, изготовленные на основе кремниевых силовых транзисторов.
