Основу инновационной технологии составляет использование резистивной памяти, при этом появляется возможность сделать ячейки памяти очень небольшими по размеру. Благодаря внедрению абсолютно нового принципа действия специалисты смогут создавать накопители большего объема по сравнению с возможностями флеш-памяти, которая сейчас считается стандартом в накоплении и хранении данных.
Объем информации, хранящийся на накопителе нового типа, будет измеряться в терабайтах, а не в гигабайтах, как принято сейчас. Поэтому совсем скоро принцип действия флешки станут изучать разве что в школах на уроках новейшей истории, а сами устройства займут свое место в самом дальнем ящике письменного стола, рядом с давно ненужными дискетами, кассетами и прочим технологическими объектами прошлых лет, которые сегодня выглядят архаично и даже забавно.
Главным моментом новой технологии стала разработка своеобразных нано-"островков", изготовленных из оксида цинка и размещенных на основе из кремния. Резистивная память будет иметь металл-оксид-металлическую структуру, более надежную и устойчивую? по словам ученых.
Новые накопители станут более надежными при использовании, чем обычные флешки. Как утверждают производители, средний срок хранения информации на флешке составляет не более семи-восьми лет, после чего устройство лучше заменить на более новое. Кроме того, информацию, записанную на флешке, настойчиво рекомендуется дублировать на другом носителе. Данные могут быть потеряны в результате воздействия на устройство неблагоприятных факторов: действия магнитного поля, влаги, высоких или слишком низких температур воздуха, поэтому лучше перестраховаться. Риск уничтожения информации при ее хранении на терабайтном носителе будет сведен к минимуму, благодаря чему пользователь может не волноваться по поводу его возможной потери. Осталось лишь дело за малым - дождаться начала продаж новых накопителей и лично убедиться в их технологическом и моральном преимуществе перед давно привычными "флешками".
